半導体ウェーハ面取り用 ダイヤモンドホイール

半導体ウェーハの面取り用ホイールです。
シリコンウェーハ用面取りホイールは、切れ味に優れ、溝形状の維持性が高い” ME ”ボンドをご提供いたします。仕上げ面粗さも良好で、面取り加工後のポリッシュ量を低減し、後工程の時間や消耗品の削減により、トータル加工コストの低減につながります。

SiC・サファイアウェーハ用面取りホイールには、切れ味に優れ研削持続性に優れたボンド仕様のホイールをご提案いたします。少量・中量生産には電着ボンド面取りホイールもご提供できます。

LT・LNウェーハ用面取りホイールには、脆性を伴うウェーハのチッピング発生を抑制するボンド仕様をご提供いたします。

一般的なR型(ラウンド・フルラウンド)、T型の溝形状以外にも、左右非対称形状などの特殊形状にも対応いたしますので、ご相談ください。

【適用材質】
シリコン、SiC ( 炭化ケイ素 / シリコンカーバイド )、サファイア、LT ( タンタル酸リチウム / リチウムタンタレイト )、LN ( ニオブ酸リチウム )、GaN ( 窒化ガリウム / ガリウムナイトライド )、GaAs ( ガリウムヒ素 )、石英

半導体ウェーハ面取り用 ダイヤモンドホイール 画像
  • "ME"ボンドのシリコンウェーハ加工テスト時の面粗さ(120枚加工後)

    "ME"ボンドのシリコンウェーハ加工テスト時の面粗さ(120枚加工後) 画像
  • 参考ホイールサイズ・仕様

      粒度   : #400〜#3000  ※粗・仕上げ一体型ホイール製作可能

     外径   : φ102 , φ202 (その他サイズは、ご相談ください)

     内径   : H6公差 (その他の公差は、ご相談ください)

     動バランス: ≧0.1g @Min.

     溝角度公差: 公差≧0.5度(片角)

     溝数          : 〜10溝(溝形状によっては10溝以上も可能です)


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