化合物半導体ウェーハ用面取りホールの長寿命化

【課題】
低炭素社会における省電力化の流れにおいて、パワーデバイスの基板となる化合物半導体ウェーハの生産は着実な伸びが期待されています。その鍵となるのがウェーハの加工コストで、その面取り加工においてもダイヤモンド工具の寿命向上が重要。チッピングを抑えてホイールライフの長寿命化が必要です。


【解決策】
ホイールの長寿命化は、工具の切り替えタクトの短縮、総使用コストの削減等のメリットにつながります。当社のメタルボンド面取りホイールは、SiC(シリコンカーバイド))や GaN(窒化ガリウム)ウェーハ加工用に最適化しており、チッピングを抑え、かつ長寿命を実現します。

切れ味が良く、コストパフォーマンスに優れた電着面取りホイールもご提供致します。

化合物半導体ウェーハ用面取りホールの長寿命化 画像 化合物半導体ウェーハ用面取りホールの長寿命化 画像
  • 他社製品との面取りホイール寿命比較テスト

    他社製品との面取りホイール寿命比較テスト 画像
  • ホイールの幾何形状精度の向上と、化合物半導体ウェーハ用に最適化したメタルボンドの開発により、SiCウェーハの面取り加工において他社製品比較30%以上寿命が向上したテスト結果が得られました。

使用工具

化合物半導体ウェーハ面取り用 メタルボンドホイール

【製作可能範囲】
 粒度仕様 : #400〜#3000  ※複合粒度も可能です
 外 径  : 〜202D 
 内 径  : H6公差(他の公差はご相談ください)
 動バランス: ≧0.1g @Min.
 溝形形状 : 公差≧0.5度
 溝段数  : 〜10溝(溝形状によっては10溝以上も可能)

チッピングの発生率、加工ダメージを抑えるために、独自の砥粒管理を行ったダイヤモンドを使用。

耐摩耗性に優れたボンドの採用により、ホイール形状の寸法維持性が高く、長寿命です。