SiCウェーハ平面研削の【仕上げ加工】における電流値のピークと加工負荷を低減

【課題】
低炭素社会における省電力化の流れにおいて、パワーデバイスの基板となる化合物半導体ウェーハの生産は着実な伸びが期待されています。その鍵となるのがウェーハの加工コストで、平面研削の仕上げ(精研)加工工程では電流値のピークと加工負荷を低く抑えることが課題となります。


【解決策】
当社の有気孔ビトリファイドボンドホイール「ベガ」は、砥粒先端圧力を高め、滑りのない研削状態を維持できるため、加工中の砥石軸電流値のピークの発生と加工負荷自体を抑えることが可能で、より使いやすい砥石性能を実現します。またワークへの深いダメージや割れ・チッピングのリスクを減らし、良好な面粗さを実現できます。

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使用工具

化合物半導体ウェーハ平面研削用  「ベガ」有気孔ビトリファイドボンドホイール

【製品仕様例】
 ボンド種: 有気孔ビトリファイド
 粒 度 : #4000~#12000(仕上げ加工用)

【対象素材】
 SiC、GaN、GaAs、LT/LN
■超微粒ダイヤモンドと大口径気孔と微小気孔のコンビネーション組織を持つビトリファイドボンドとの組み合わせにより、高品位な研削面を実現
■超微細破砕を実現するボンドの採用により、最小単位での自生発刃が実現でき切れ味が持続
■安定的に高品位面が得られ、加工コスト低減にも貢献
■製作可能な物性範囲が広く粗加工から仕上げ加工まで幅広く対応可能