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背景

φ450mmシリコンウェーハの量産が一部大手デバイスメーカーで開始されますが、ウェーハ加工の主流はφ300mmに集約され、ベアシリコン市場は寡占化・淘汰が進んでいます。
現在も半導体基板材料の主流であるベアシリコンは、生産拠点の海外移管とともにより効率的・低コストな加工が求められています。
一方、半導体技術の微細化は継続し、ベアシリコンの品質要求は留まることがありません。

事例紹介・課題

課題

ウェーハ加工の前工程で重要な面取りの品位は、ウェーハの歩留まりや後工程の加工時間・消耗品コストに影響します。
硬く脆いシリコンの面取りにおいては、チッピングが発生しやすく加工ダメージによる品位の低下が課題です。
また、硬い素材の加工においては、ボンドの摩耗が早く形状精度が維持できず工具の寿命が短いため頻繁に再生が必要になり、加工コストが問題です。
硬いシリコンの加工にはメタルボンドダイヤモンドホイールが使用されますが、一般的なメタルボンドにはシリコンに悪影響を与える金属が含まれており、その除外が必要です。

課題のポイント ・チッピングの発生により加工ダメージを与え、品位が低下
・ボンドの摩耗が早く寿命が短いため、再生を含めた加工コストが高い
・一般的なメタルボンドにはシリコンに悪影響を与える金属が含まれている
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